等效电路参数

本页提供 SunSolve Power 等效电路模型中使用的参数的完整参考。每个参数都列出了其符号、单位、有效范围和 SunSolve 中配置的默认值。

所有电流密度均按单位电池面积输入（A/cm²），所有比电阻均以 Ω·cm² 输入。SunSolve 在仿真过程中根据电池面积在内部进行缩放。详情请参阅电流密度与电流符号部分。

光生电流

参数符号单位最小值最大值默认值描述光生电流密度, $J_L$, A/cm², 0.00001, 0.1, 0.038, 电池中光吸收产生的光电流密度

第一二极管

第一二极管是等效电路的主要组件，在所有配置中都是必需的。

参数符号单位最小值最大值默认值描述饱和电流密度 1, $J_{01}$, A/cm², 1×10⁻³⁰, 0.1, 1×10⁻¹², 主二极管的饱和电流密度理想因子 1, $m_1$, —, 0.1, 100, 1, 主二极管的二极管理想因子

第二二极管

第二二极管是可选的，通常用于表示空间电荷区复合。

参数符号单位最小值最大值默认值描述饱和电流密度 2, $J_{02}$, A/cm², 1×10⁻³⁰, 0.1, 1×10⁻⁹, 第二二极管的饱和电流密度理想因子 2, $m_2$, —, 0.1, 100, 2, 第二二极管的二极管理想因子

电阻限制增强复合组件

该可选组件包括自己的二极管和串联电阻。它可以提高复杂 IV 曲线行为的拟合精度。

参数符号单位最小值最大值默认值描述饱和电流密度 H, $J_{0H}$, A/cm², 1×10⁻³⁰, 0.1, 1×10⁻¹⁰, 增强复合二极管的饱和电流密度理想因子 H, $m_H$, —, 0.1, 100, 1, 增强复合二极管的二极管理想因子串联电阻 H, $R_H$, Ω·cm², 0, 10¹², 1000, 增强复合支路中的串联电阻

串联电阻和分流电阻

参数符号单位最小值最大值默认值描述串联电阻, $R_s$, Ω·cm², 0, 10¹², 1.2, 总串联电阻，包括半导体体电阻和接触电阻。有关如何从电极几何计算该值，请参阅串联电阻计算。分流电阻, $R_{sh}$, Ω·cm², 0, 10¹², 10000, 表示绕过 p-n 结的电流路径的泄漏电阻

电压和光照依赖复合

这些参数用于可选的复合损耗组件，启用时替换电阻限制增强复合组件。该组件主要用于薄膜技术，如 a-Si:H 和 CdTe。

参数符号单位最小值最大值默认值描述迁移率-寿命参数, $d_i^2 / (\mu \tau_{\text{eff}})$, V, 0.000001, 2.0, 0.005, 组合材料参数，表示 i 层厚度的平方除以有效少数载流子迁移率-寿命积内建电压, $V_{bi}$, V, 0.1, 2.0, 0.9, 用于复合损耗计算的 p-n 结内建电压

反向偏置击穿

这些参数控制第一二极管的可选雪崩或齐纳击穿行为。启用时，当电池电压降至 $-V_{B1}$ 以下时，第一二极管会出现反向电流的急剧增加。默认情况下击穿功能处于禁用状态。

该组件对于涉及部分遮阴的组件级仿真尤为重要，在这种情况下，个别电池可能被未遮阴电池产生的电流驱动进入反向偏置状态。

参数符号单位最小值最大值默认值描述击穿电压, $V_{B1}$, V, 0, 1000, 15, 第一二极管发生雪崩击穿的反向电压。这是一个与面积无关的量。击穿电流密度, $J_{BV}$, A/cm², 1×10⁻³⁰, 1, 1×10⁻⁵, 击穿电压处的电流密度。在初始化期间用于校准 $V_{B1}$，以使反向电流在击穿起始点匹配 $I_{BV} = J_{BV} \times A_{\text{cell}}$。