使用SunSolve确定PVsyst双面输入

SunSolve Yield提供了一个经过验证的程序，用于确定准确的PVsyst模拟所需的双面输入因子。这些因子捕获了PVsyst通过其视角因子模型简化的光学和电学效应。

概述

PVsyst使用五个校正因子表示双面系统的后侧照明：

因子	符号	代表
透射	fT	穿过或通过组件之间的光。
反照率	fA	有效地面反射率。
结构遮挡	fS	来自扭矩管、立柱、框架和其他支撑的遮挡和反射。
后侧失配	fMR	由于后侧照明不均匀导致的功率降低。
双面性	fB	在后侧与前侧照明下的相对组件效率。
SunSolve从六个受控模拟中计算这些因子，这些模拟通过修改系统场景来隔离每个效应。
通过比较这些结果，SunSolve产生适合直接在PVsyst中使用的能量加权年平均值。

下图显示了示例结果，其中数据点表示在一组特定条件下典型年份每一天的加权平均输入。

示例图显示fA、fT、fS和fM随一年中的某一天和平均每日漫射分数的变化。

使用SunSolve计算因子有两种方法——自动化方法（推荐给大多数用户）和手动方法（用于自动化尚不支持的高级或自定义配置）。

演示推荐的自动化工作流程的简短演练视频可在此处获得： Yield PVsyst因子自动化工作流程 — SunSolve.com

演示手动工作流程的演练视频可在此处获得： Yield PVsyst因子手动工作流程 — SunSolve.com

使用六个SunSolve模拟来确定因子。然后将这些模拟的输出组合起来，计算一年中每小时的fA、fT、fS、fM和fMR。相关方程总结如下。

确定fA、fT、fS、fM和fMR的一般方法。

从有和没有组件之间透射的后侧电流导出：

f_T = \frac{I_{R3} - I_{R4}}{I_{R4}}

从完全遮挡和透明结构配置之间后侧电流的变化导出：

f_S = \frac{I_{R3} - I_{R1}}{I_{R3}}

有效宽带反照率通过比较具有两个已知反射率（0.3和0.2）的模拟结果来确定：

f_A = 0.2 + (I_{R4} - I_{R6}) \times \frac{0.3 - 0.2}{I_{R5} - I_{R6}}

如果使用的是没有波长依赖性的反照率，则可以避免此计算——以及确定它所需的模拟——因为它不会对最终结果产生影响。

当电池接收不相等的辐照度时，会产生失配。总失配和仅前侧失配因子为：

f_M = \frac{P_{noM1} - P_1}{P_{noM1}}

f_{MF} = \frac{P_{noM2} - P_2}{P_{noM2}}

后侧失配因子取决于PVsyst版本：

f_{MR} = (f_M - f_{MF}) \times \left(1 + \frac{I_{F1}}{I_{R1}}\right)

f_{MR} = (f_M - f_{MF}) \times f_B \times \left(1 + \frac{I_{F1}}{I_{R1}}\right)

请注意，这些失配值是因子，而不是直接损失。在某些情况下，后侧失配因子可能为负——表明后侧辐照度的增加减少了总失配损失，而不是增加了它。

有关每个方程的完整推导和讨论，请参阅文件下载下链接的白皮书。

在SunSolve中运行和分析模拟后，在PVsyst中执行以下步骤：

PVsyst（v7.4.6）截图显示双面输入及其说明。

使用SunSolve提取PVsyst输入的说明此PDF是描述如何使用SunSolve Yield确定PVsyst双面输入的原始PV Lighthouse白皮书。它列出了每个因子的假设、定义和推导，并包括示例结果。现在，该材料的大部分内容已纳入此帮助页面。

提取PVsyst输入的电子表格此电子表格包含手动提取PVsyst双面输入所需的方程和图表，遵循上述白皮书中描述的方法。